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第四代半导体再突破,我国团队在8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片

时间:2023-03-15 15:10   来源:IT之家   作者:竹隐   阅读量:19698      

团队负责人陈海峰教授介绍,氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性,在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。

氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与前代半导体材料相比,氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻,从而能量损耗更低,功率转换效率更高。另外,氧化镓具有良好的化学和热稳定性,成本低,制备方法简便、便于批量生产,在产业化方面优势明显。

近年来,我国在氧化镓的制备上连续取得突破性进展,从去年的 2 英寸到 6 英寸,再到最新的 8 英寸,氧化镓制备技术越来越成熟。

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